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氧化镓外延片

氧化镓外延片（MOCVD)

外延 MOCVD 氧化

系统管理员 2026-03-25 14:48:19

资质荣誉

工业 研发中心 高新企业

系统管理员 2026-03-25 09:46:15

氧化镓晶锭

利用导模法（EFG）生长的12mm厚半绝缘型及导电型Ga2O3单晶晶锭（100/001）关键指标 1晶锭尺寸：50mm×80mm×12mm 2晶面偏差:<±1°

mm EFG 生长关键单晶

系统管理员 2026-03-25 09:07:20

氧化镓晶锭

利用导模法（EFG）生长的12mm厚半绝缘型及导电型Ga2O3单晶晶锭关键指标 1晶锭尺寸：110mm×105mm×12mm 2晶面偏差:<±1°

mm EFG 生长关键单晶

系统管理员 2026-03-25 08:56:49

氧化镓晶锭

利用导模法（EFG）生长的8mm厚半绝缘型及导电型Ga2O3单晶晶锭关键指标 1晶锭尺寸：直径≥150mm 2晶面偏差:<±1°

mm EFG 生长直径关键

系统管理员 2026-03-25 08:55:45

氧化镓衬底

利用垂直布里奇曼法（VB）生长的4英寸单晶晶圆（100）关键指标 1双晶摇摆半高宽:≤350" 2晶面偏差:<±1° 3粗糙度:Ra≤1nm

VB 偏差生长单晶高宽

系统管理员 2026-03-24 17:50:25

氧化镓衬底

利用导模法(EFG)生长的半绝缘型及导电型Ga2O3晶体，加工得到6英寸氧化镓衬底。关键指标 1双晶摇摆半高宽:≤350" 2载流子浓度:1x1016~1019cm-3 3位错密度:< 1x104cm-2 4晶面偏差:<±1° 5粗糙度:Ra≤05nm

衬底 cm- 氧化浓度 载流子

系统管理员 2026-03-24 17:49:13

氧化镓衬底

利用导模法(EFG)生长的半绝缘型及导电型Ga2O3晶体，加工得到4英寸氧化镓衬底。关键指标 1双晶摇摆半高宽:≤350" 2载流子浓度:1x1016~1019cm-3 3位错密度:< 1x104cm-2 4晶面偏差:<±1° 5粗糙度:Ra≤05nm

衬底 cm- 氧化浓度 载流子

系统管理员 2026-03-24 17:47:19

氧化镓衬底

利用导模法(EFG)生长的半绝缘型及导电型Ga2O3晶体，加工得到2英寸氧化镓衬底。关键指标 1双晶摇摆半高宽:≤350" 2载流子浓度:1x1016~1019cm-3 3位错密度:< 1x104cm-2 4晶面偏差:<±1° 5粗糙度:Ra≤05nm

衬底 cm- 氧化浓度 载流子

系统管理员 2026-03-24 17:37:24

关于我们

杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月31日，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(EFG法)晶体生长装备等，为材料研制提供系统性解决方案，加速超宽禁带氧化镓产业全链路贯通，推进氧化镓材料在功率器件、微波射频器件及光电探测等领域应用。

材料氧化禁带器件 有限公司

系统管理员 2026-03-24 17:36:00