此组图是我公司于2002年为清华大学从台湾富士康进口的纳米实验用工作系统。该系统可在硅基底上制备氧化物、氮化物厚膜，在双频辅助下，可以大大提高沉积速率，达到每分钟25纳米。因此可用来制备微米及毫米厚度的绝缘层，其致密性，均匀性及附着性依然很好。此系统中还包含了一台复合机型，由离子偶合等离子体刻蚀及双频反应离子刻蚀机组成，目前国内尚无同类产品。这两种刻蚀方式的特点都是刻蚀速度快，可以达到每分钟刻蚀450纳米的速度。其中Helicon主要适合于刻蚀进行硅的深刻蚀，而DFR则适用于氧化硅和氮化硅的深刻蚀。利用Helicon-双频刻蚀系统，可以帮助制备一些三维的纳米结构，从而构筑更加丰富的纳米器件。这套系统可在硅基底上制备多种金属薄膜，薄膜厚度可以为几个纳米，利用此套系统在硅基底上沉积金属催化剂薄层，可被用来制备纳米材料。特别是蒸发镀膜系统制备的薄膜和蒸发源的方向相关，台阶陡直，后续的光刻过程可以直接采用驳离方法，无须刻蚀工艺。其中刻蚀机刻蚀速率慢，可以对刻蚀层的厚度进行精确控制，有利于对很薄（几纳米或几十纳米厚）的金属、光刻胶、氧化硅、氮化硅薄膜进行刻蚀，制备纳米器件所需的各种图形，开展纳米电子学的基础研究。